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半导体设备之CMP
晶圆制造过程主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化。作为晶圆制造的关键制程工艺之一，化学机械抛光(CMP)指的是通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化。 2018年，全球CMP设备的市场规模18.42亿美元，约占晶圆制造设备4％的市场份额，其中中国大陆CMP设备市场规模4.59亿美元。